林正喆 副教授 硕士生导师
物理学院
学科：凝聚态物理
研究方向：二维拓扑物态与界面
电子邮箱：zzlin@xidian.edu.cn
办公地点：北校区 西大楼II区406
2002年9月—2006年7月，复旦大学化学系，学士学位
2006年9月—2012年7月，复旦大学现代物理研究所，理学博士学位
2012年7月至今，西安电子科技大学从事教学科研工作
主要研究为二维材料纳米器件基本理论。从基本电子性质出发，用理论工具发掘有潜力的新兴二维材料。从理论上提出了准确预测纳米体系的寿命量子化统计物理模型。在二维磁有序的研究中，从理论上分析了超出Mermin-Wagner定理及各向同性Heisenberg模型的产生低维磁序物理机制，揭示二维磁体在自旋电子学和高速信息存储上的独特优势。在二维材料限域催化方法的研究中，提出了石墨炔等二维材料在二氧化碳还原中的催化机理。迄今主持国家自然科学基金项目1项，陕西省自然科学基金项目2项。
TbMn6Sn6表面上的CO2还原 Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 18600-18607 (2022).
近年来，拓扑催化的概念被提出。利用拓扑表面态的高态密度，实现可能的催化作用。TbMn6Sn6是一种Chern铁磁体，具有自旋极化Dirac能带。理论分析了几种表面的热力学稳定性，并计算了CO2还原自由能变化过程。
石墨烯—MnBi2Te4横向异质结的自旋过滤 Nanotechnology 33, 325201 (2022).
二维磁性半导体的发展促进了磁性电纳米器件非易失性控制的研究。在半导体电路中，金属-半导体触点通常是必不可少的。本研究探讨了石墨烯与拓扑材料MnBi2Te4构成的连结的电子输运性质，发现横向石墨烯-MnBi2Te4连结具有良好的欧姆接触，这有利于在全碳电路中的应用。通过磁性隧道结的高自旋极化可实现良好的二维自旋过滤。
二维MoS2上无缺陷功能化的CO2还原 Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 3733-3740 (2022).
金属原子在固体表面的钉扎通常依赖于缺陷的吸附，而结构缺陷往往会限制电子性能。
我们研究了用IrX3 (X = F或Cl) 在二维MoS2单层上进行无缺陷功能化，作为低过电位的CO2还原催化剂。
T-carbon作为储锂和锂离子电池阳极材料的研究 Mat. Adv. 2, 4694-4701 (2021).
T-carbon是一种新发现的类金刚石相，具有炔键支撑的中空结构。
我们研究了T-carbon作为高容量锂存储材料和锂电池负极的可能性。
探讨了不同密度下锂的吸附情况，分析了不同过渡相之间阳极电位的变化情况，指出其储锂最大容量和“死区”问题。
二维磁性离子晶体半导体的稳定性和交换作用机理研究 Phys. Lett. A 395, 127229 (2021).
由于离子键的各向同性，二维离子晶体是否能稳定存在，是一个基本物理问题。
我们探讨了二维离子晶体存在的可能性，并研究了二维磁性稀土离子晶体EuS中的交换作用。
分析了稀土离子Eu2+之间传递交换作用的4f-5d三阶动态轨道跃迁机制。
kagome晶格狄拉克费米子有效质量调控 Phys. Status Solidi RRL 14, 1900705 (2020).
kagome晶格具有奇异量子磁性来承载Dirac电子态，可导致拓扑Chern绝缘相。
我们从理论上解释了Fe3Sn2中狄拉克电子的形成机理，阐明了自旋轨道耦合与有效质量的关系。
在此基础上，揭示了自旋极化Dirac体系中新物理的起源，提出了控制Dirac电子有效质量的方法。
原子层Fe3GeTe2磁隧道结和自旋滤波器理论研究 Adv. Elec. Mat. 6, 1900968 (2020).
通过非平衡格林函数理论，预测出Cu电极之间的单/双层Fe3GeTe2弹道运输的自旋极化为53/85％。
在超薄的Fe3GeTe2-hBN-Fe3GeTe2异质结构中，观察到了显着的磁阻。
对于单层/双层Fe3GeTe2异质结，磁阻达到183/252％。
石墨烯与石墨炔二维限域催化CO2还原研究 Int. J. Energ. Res. 44, 784 (2020). Appl. Surf. Sci. 479, 685 (2019).
二维限域催化为近年来提出的一种新的催化原理。
其利用二维材料覆盖的量子限域效应，改变反应势能面，降低反应势垒，提高材料表面的非均相催化能力。
本研究分析了石墨烯、石墨炔限域催化CO2还原的机理、反应过程自由能变化，总结出决定催化能力的关键物理指标。
二维范德瓦尔斯异质结能带调控 Phys. Status Solidi RRL 12, 1800102 (2018).
二维材料拥有独特的层状结构，通过将不同的二维材料以几乎无限种方式堆叠可以得到不同性能的二维范德华异质结。
具有 II 型能带排列的范德华异质结在光电器件应用中发挥关键作用。
本研究揭示了调节层间距或外电场实现二维范德瓦尔斯异质结从I型到II型能带排列转变的物理机制，澄清了表面极化机制在能带偏移中的作用。
