主持、参与的科研项目及成果：

1、ZnO压敏瓷性能提升关键技术研究

通过复合纳米添加湿法工艺，成功制备出了高通流能力的ZnO压敏防雷瓷片，该成果已获得应用。 

2、Si 基外延生长动力学及UHVCVD设备 

建立了UHVCVD系统应变材料外延生长动力学模型，提出了UHVCVD系统反应室抽真空工艺制度。

3、应变材料能带结构及载流子迁移率研究

突破了应变能带kp模型中大量符号Hamilton矩阵本征值的求解问题，提出并实现了应变材料能带结构的解析求解方案；

深入研究了应变材料载流子（电子、空穴）各散射机制，建立了应变材料载流子迁移率与晶面、晶向及应力的理论模型。

4、应变MOS反型层能带结构及载流子迁移率研究

提出了结合有限差分的包络函数方法，突破了单轴应变Si PMOS反型层价带百阶符号矩阵本征值的算法及实现方法。

采用基于三角形势阱近似的包络函数方法，解决了量子化效应致应变NMOS反型层子带电子有效质量变化的关键问题。

5、全平面应变TF-SOI BiCMOS设计与实现

5.1  SOI SiGe HBT频率特性

SOI SiGe HBT特征频率与掺杂浓度、集电极电流之间的关系

SOI SiGe HBT最高振荡频率与集电极电流之间的关系

SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT频率特性比较

5.2  SOI SiGe HBT线性度

SOI SiGe HBT正向厄利电压与集电区掺杂浓度及BC结反偏电压之间的关系

SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT正向厄利电压之间的比较

SOI SiGe HBT反向厄利电压与EB结反偏电压之间的关系

5.3  全平面应变BiCMOS设计