简介: 主要面向宽禁带功率器件在国防、碳中和等国家重大需求,和新能源汽车等经济领域开展研究。在科技部重大专项,自然科学基金委重点项目,陕西省杰出青年基金等支持下,围绕碳化硅和氧化镓高性能功率器件开展研究工作究。在IEEE EDL,IEEE transaction on ELECTR DEVICE 等国际主流期刊发表论文100余篇;获得中国发明专利50余项完成专利转化 200 余万元;荣获“国家级人才”,“陕西省青年科技新星”和“首届陕西省高校杰出人才”称号。 与中芯集成合作开发了高压大功率 SiC 功率器件关键技术研究,成功推出国际先进水平的车规级 SiC Diode、MOSFET 标准工艺制程,实现了 SiC MOSFET 产品的国产化替代,达到国际先进水平;开展氧化镓材料特性和功率器件研究,建立了氧化镓的氧空位模型和氧化镓器件物理模型,探索了器件关键工艺,提出了HfAlO/Ga2O3 栅能带经验模型,为氧化镓功率器件设计提供了参考。