低维量子物理与器件 Low Dimensional Quantum Physics & Device

研究方向：

自旋电子学器件/反铁磁自旋电子学

忆阻器及存算一体芯片/忆阻器逻辑器件及逻辑运算

复杂钙钛矿氧化物及强关联体系/非常规超导/拓扑超导

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隶属于郝跃教授国家级创新团队

依托于宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室和国家工程中心

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团队成员

马海蛟 副教授

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博士研究生

2023级  张斯雯（博士，西电）

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硕士研究生

2024级  汪佳宇（昆明理工），赵殊铭（中北大学），周永琪（西电）

2023级  何易兴 （武汉理工）， 李浩南（河北大学），刘宪钦（西电）

2022级 朱江（西电）王钥琦（长沙理工大学）

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已毕业：

2021级  王磊 （西北大学）                  毕业论文：基于插入储氧层的铪基氧化物忆阻器性能优化以及微型化忆阻器阵列制备.

             刘邵煊（华北理工大学）         毕业论文：基于谷值电流模COT控制的BUCK变换器的设计与实现. 

2020级  惠昱澎  （西电）  微固           毕业论文：自旋流调控的磁性重金属异质结器件自旋输运特性研究 （校优秀硕士论文提名奖）. 成果 PRApplied. 

             张越影（西电） 软工               毕业论文：二维自支撑钛酸锶室温铁电光电特性研究与调控;  成果： APL Materials.

2019级 甘鑫（合工大）     集成电路     毕业论文：功能氧化物忆阻器特性调控及电路仿真（校优秀硕士论文）；工作去向：华为（芯片设计）。成果：AIS2022。

2018级 张雨果 （北理工）  微固          毕业论文：自支撑二维钛酸锶薄膜的制备与界面物性研究  ；工作去向：企业。 成果：AOM2021。

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本科生：

2024级 王甜甜  氮化铝薄膜制备及其忆阻器性能研究 （院优秀毕业设计 二等奖）；

2023级  张斯雯 忆阻器存储电路设计（院优秀毕业设计）；去向：保送西电博士

2022届 龚帅宇 反铁磁自旋动力学 （院优秀毕业设计）；去向：保送中科院物理所。

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