吴振宇，副教授，硕士生导师。
主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究，具体包括微电子器件与电路可靠性、VLSI薄膜工艺技术等。已经完成的项目主要有：
（1）ZBFZB, GFYY基金项目, 6140A24010405, XXX损伤机理研究, 2018-01至2020-12,已结题, 主持
（2）中国KJ技术研究院，重点实验室基金项目，HX0114093006，XXX微波芯片结构分析，2015-01至-2017-12,已结题, 主持
（3）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，60806034，超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型，2009-01至2011-12，已结题，主持
（4）ZBFZB, GFYY项目, FY13017250004, XXX效应仿真技术研究, 2016-01至2020-12, 已结题, 参加
（5）中华人民共和国科学技术部, 国家重点基础研究发展计划子课题, 2015CB351906, XXX环境下XXXX性能退化机理与信号延迟机制, 2015-01至2019-12, 已结题, 参加
以第一作者已发表相关研究SCI论文多篇，以第一发明人申请发明专利多项：
[1]等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究，物理学报，2010,59(3):1890-1894
[2]基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究.物理学报.2012,61 (1):018501
[3]铜互连电迁移失效阻变特性研究.物理学报.2012,61 (24):539-544
[4]The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films,Diamond & Related Materials,2008,17 :118–122
[5]Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects.Microelectronics Reliability.2008,48 :578–583
[6]Numerical Modelling of Interconnect Electromigration Under Non-DC Stressing Conditions.IETE Journal of Research.2020,66 (1):85-90
[7]Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects.Thin Solid Films.2010,518 (14):3778-3781
[8]3D numerical simulations of single-event transient effects in SOI FinFETs.Journal of Computational Electronics.2018,17 (4):1608-1614
[9]离子迁移谱仪，专利授权号：ZL 201610627663.5
[10]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，专利授权号：ZL 200710018519.2
[11]一种系统级封装微凸点结构可靠性的两步式优化设计方法，专利申请号：CN201910717268.X
[12]一种系统级封装热可靠性综合优化设计方法，专利申请号：CN201910717760.7