目前研究团队承担的科研项目：

国家自然科学基金面上项目，GaN器件击穿机理，2021~2024，60万元，主持；

国家重点研发计划项目子课题，GaN 基电子器件研究，2016-07至2020-12，50万元，在研，主持。

创新特区项目子课题，2019-01至2020-12，50万元，在研，主持。

广东省重点领域研发计划，低损耗高耐压硅基氮化镓双向阻断功率器件研究，2020-03至2024-02，200万，在研，主持。

中国电子科技集团公司，多款VDMOS开关器件产品，2015-07至2016-07，已结题，主持。

国家科技重大专项，整流器件，9994.78万元，2017-01至2020-12，在研，参与。

国家科技重大专项HGJ项目，功率放大器芯片，2500万元，2019-01至2020-12，在研，参与。

国家自然科学基金委员会, 面上项目，可双向阻断高性能增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件研究，2016.01-2019.12，64万元，已结题，参与。

国家自然科学基金委员会, 面上项目，基于FinFET结构的GaN基数字电路关键技术研究，2016-01至2019-12，65万元，已结题，参与。

国家自然科学基金委员会, 面上项目，AlGaN/GaN MIS-HMET器件在质子辐射下的退化机理，寿命预测模型与加固技术研究，2015-01至2018-12，76万元，已结题，参与。

国家自然科学基金委员会, 青年项目，基于AlGaN/GaN HEMT器件的剪切力下细胞膜电位测量方法与应用技术研究，2015-01至2017-12，28万元，已结题，参与。

国家自然科学基金委员会, 青年项目，基薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT及可靠性研究，2015-01至2017-12，26万元，已结题，参与。

国家自然科学基金委员会, 青年项目，氮化镓基浮空复合场板功率器件研究，2013-01至2015-12，30万元，已结题，参与。