一作与通信论文：

ShengLei Zhao, Bin Hou, WeiWei Chen, MinHan Mi, JiaXin Zheng, JinCheng Zhang, XiaoHua Ma, and Yue Hao. Analysis of the breakdown characterization method in GaN-based HEMTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2016, 31(2):1517-1527.（中国在该刊发表的首篇GaN论文）

Yinhe Wu, Jincheng Zhang,*  Shenglei Zhao,*  Weihang Zhang, Yachao Zhang, Xiaoling Duan, Jiabo Chen, and Yue Hao. More than 3000 V reverse blocking Schottky-drain AlGaN-channel HEMTs with >230 MW/cm2 power figure-of-merit, IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(11): 1724-1727.

Yachao Zhang, Rui Guo, Shengrui Xu , Jincheng Zhang,*  Shenglei Zhao,*  Haiyong Wang, Qiang Hu, Chunfu Zhang, and Yue Hao. High-performance high electron mobility transistors with GaN/InGaN composite channel and superlattice back barrier, Applied Physics Letters, 2019, 115: 072105.

ShengLei Zhao, Kai Zhang, Wei Ha, YongHe Chen, Peng Zhang, JinCheng Zhang, XiaoHua Ma, and Yue Hao. Trap states in AlGaN channel high-electron-mobility transistors, Applied Physics Letters, 2013, 103:212106.

Shuang Liu, Xiufeng Song, Jincheng Zhang,*  Shenglei Zhao,*  Jun Luo, Hong Zhang, Yachao Zhang, Weihang Zhang, Hong Zhou, Zhihong Liu, and Yue Hao. Comprehensive Design of Device Parameters for GaN Vertical Trench MOSFETs, IEEE Access, 2020, 8: 57126-57135.

Zhaoke Bian, Tao Zhang, Jincheng Zhang,*  Shenglei Zhao,*  Hong Zhou, Junshuai Xue, Xiaoling Duan, Yachao Zhang, Jiabo Chen, Kui Dang, Jing Ning, and Yue HaoLeakage mechanism of quasi-vertical GaN Schottky barrier diodes with ultra-low turn-on voltage, Applied Physics Express, 2019, 12: 084004.（Compound Semiconductor专题报道）

ShengLei Zhao, JunShuai Xue, Peng Zhang, Bin Hou, Jun Luo, XiaoJiao Fan, JinCheng Zhang, XiaoHua Ma, and Yue Hao. Enhancement-mode Al2O3/InAlN /AlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with enhanced breakdown voltage using fluoride-based plasma treatment, Applied Physics Express, 2014, 7:071002.

Hong Zhang, Guanjun Chen, Jincheng Zhang, Xuefeng Zheng,∗ Hong Zhou, Shenglei Zhao,∗ and Yue Hao. A low-temperature supercritical nitridation technology for enhancing the performance of AlGaN/GaN HEMTs, The Journal of Supercritical Fluids, 2020, 158:104746.

Zhaoke Bian , Kai Su, Jincheng Zhang,∗  Shenglei Zhao,∗  Hong Zhou, Weihang Zhang, Yachao Zhang, Tao Zhang, Jiabo Chen, Kui Dang, Jing Ning and Yue Hao. Gamma irradiation impact on GaN quasi-vertical Schottky barrier diodes, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53:045103.

Zhongyang Li, Lin Du, Jianshe Lou, Yun Jiang, Kunshu Wang, Wei Wen, Zhizhe Wang, Shenglei Zhao,*  Jincheng Zhang,* and Yue Hao. High-breakdown-voltage AlGaN channel high-electronmobility transistors with reduced surface field technique, Physica Status Solidi (a): Applications and Materials Science, 2020:1900793.

ShengLei Zhao, Yuan Wang, XiaoLei Yang, ZhiYu Lin, Chong Wang, JinCheng Zhang, XiaoHua Ma, and Yue Hao. Reverse blocking enhancement of drain field plate in Schottky-drain AlGaN/GaN high-electron mobility transistors, Chinese Physics B, 2014, 23(9)：097305.

ShengLei Zhao, MinHan Mi, Bin Hou, Jun Luo, Yi Wang, Yang Dai, JinCheng Zhang, XiaoHua Ma, and Yue Hao. Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AlGaN/GaN HEMTs by using Schottky drain, Chinese Physics B, 2014, 23(10): 107303.

ShengLei Zhao, WeiWei Chen, Tong Yue, Yi Wang, Jun Luo, Wei Mao, XiaoHua Ma, and Yue Hao. Influence of a drain field plate on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Chinese Physics B, 2013, 22(11): 117307.

ShengLei Zhao, Zhi-Zhe Wang, Da-Zheng Chen, Mao-Jun Wang, Yang Dai, Xiao-Hua Ma, Jin-Cheng Zhang, and Yue Hao. 1.8-kV circular AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure high electron mobility transistor, Chinese Physics B, 2019, 28(2): 027301.

ZhongXu Wang, Lin Du, JunWei Liu, Ying Wang, Yun Jiang, SiWei Ji, ShiWei Dong, WeiWei Chen, XiaoHong Tan, JinLong Li, XiaoJun Li, ShengLei Zhao, * JinCheng Zhang , * and Yue Hao. Breakdown voltage enhancement in GaN channel and AlGaN channel HEMTs using large gate metal height, Chinese Physcis B, 2020, 29(2): 027301.（中国物理B亮点论文专题报道）

 

国家申请与授权专利：

1. 赵胜雷，朱丹，张进成，张雅超，张苇杭，张燕妮，郝跃。基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201910801585.7。

2. 赵胜雷，朱丹，张进成，张苇杭，边照科，张雅超，周弘，郝跃。基于多浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201910842973.2。

3. 赵胜雷，刘俊伟，张进成，陈大正，朱家铎，朱卫东，刘志宏，郝跃。基于阴阳极环形嵌套的大功率GaN准垂直肖特基二极管及其制备方法[P]。中国专利：201911169340.6。

4. 赵胜雷，宋秀峰，张进成，朱丹，陈大正，张春福，张金风，毛维，郝跃。基于P+型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201911097889.9。

5. 赵胜雷，宋秀峰，张进成，张雅超，刘志宏，张春福，陈大正，郝跃。基于离子注入边缘终端技术的垂直AlN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201911258100.3。

6. 赵胜雷，宋秀峰，张进成，边照科，刘厚佐，刘志宏，吴银河，郝跃。基于场板结构的垂直AlN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201911257553.4。

7. 赵胜雷，宋秀峰，张进成，刘爽 ，吴银河，边照科，张苇杭，郝跃。基于SiO2电流阻挡层的氮化铝CAVET器件及制作方法[P]。中国专利：201911258378.0。

8. 赵胜雷，刘爽，张进成，张苇杭，张雅超，许晟瑞，冯倩，张金风，郝跃。基于P 型层的增强型双向阻断功率GaN基器件及制作方法[P]。中国专利：201911178522.X。

9. 赵胜雷，刘爽，张进成，张苇杭，张雅超，张春福，周弘，毛维，郝跃。基于AlN/GaN超晶格沟道的双向阻断功率器件及制作方法[P]。中国专利：201911178761.5。

10. 张进成，朱丹，赵胜雷，陈大正，张春福，王中旭，刘志宏，郝跃。基于多浮空场板与阴极场板复合结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201910842962.4。

11. 张进成，刘俊伟，赵胜雷，刘志宏，张雅超，张苇杭，段小玲，许晟瑞，郝跃。大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法[P]。中国专利：201910993203.8。

12. 张进成，宋秀峰，赵胜雷，朱丹，刘志宏，周弘，许晟瑞，冯倩，郝跃。基于F离子保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201911097918.1。

13. 张进成，宋秀峰，赵胜雷，朱丹，张苇杭，张雅超，刘爽，刘俊伟，李仲扬，郝跃。基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201911097995.7。

14. 张进成，宋秀峰，赵胜雷，张苇杭，刘志宏，边照科，陈大正，郝跃。基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201911258112.6。

15. 刘爽，赵胜雷，张进成，刘志宏，宋秀峰，郝跃。基于沟槽栅垂直浅超结的氮化镓基MOSFET及制作方法[P]。中国专利：201911060261.1。

16. 张进成，刘爽，赵胜雷，张雅超，刘志宏，陈大正，段小玲，薛军帅，郝跃。基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法[P]。中国专利：201911178733.3。

17. 陈大正，张春福，吴艺聪，赵胜雷，张雅超，朱卫东，张进成，郝跃。阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201910664067.8。

18. 马晓华，郝跃，汤国平，陈伟伟，赵胜雷。二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310280220.X。

19. 马晓华，陈伟伟，汤国平，郝跃，赵胜雷。基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310280216.3。

20.马晓华，郝跃，汤国平，陈伟伟，赵胜雷。选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310280177.7。

21. 郝跃，马晓华，汤国平，陈伟伟，赵胜雷。横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310277894.4。

22. 马晓华，汤国平，郝跃，陈伟伟，赵胜雷。离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制作方法[P]。中国专利：ZL201310279945.7。

23. 郝跃，王党会，许晟瑞，张进成，张金风，毕志伟，毛维，马晓华，赵胜雷，薛晓咏，艾姗。a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法[P]。中国专利：ZL201110293524.0。

24. 张进成，张琳霞，郝跃，马晓华，王冲，霍晶，党李莎，孟凡娜，姜腾，赵胜雷。基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法[P]。中国专利：ZL201210131041.5。