5. 系统研究了不同晶面指数金表面二硫化铼的生长行为，在（110）金晶面实现了单晶二硫化铼的取向控制生长，理论计算显示Au-ReS₂强的界面耦合和金基底对称性的降低是实现取向控制生长的关键，该工作为取向控制生长其它低晶格对称二维材料提供了重要参考。

4. 采用偏振光学成像和偏振拉曼成像技术，首次发现了CVD生长所得二硫化铼中的子晶畴和晶界现象，结合高分辨电镜和理论计算揭示了二硫化铼独特的“纳米自组装生长”机制。

3. 针对二硫化铼前驱体挥发不可控导致的亚稳态生长问题，发展出空间限域外延生长法，将二硫化铼的生长限制在基底的近表面层，实现了二硫化铼的稳态生长。

 2. 针对低对称材料二硫化铼的制备中存在的铼前驱体挥发温度过高的问题，发展出二元低共熔体辅助外延生长方法，有效降低了铼的熔点，实现了大面积单层二硫化铼的高效制备。

1.基于增大石墨烯光电导增益的想法，构筑了高响应、栅压可调的石墨烯-二硫化钼杂化光电探测器。 通过将强光吸收的二硫化钼和高载流子迁移率的石墨烯结合，两种材料优劣互补，实现了“1 + 1 > 2”效应。