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基本信息

贾仁需博士

教授 博士生导师

单位:微电子学院

联系方式

Email:rxjia@mail.xidian.edu.cn

Tel(fax):029-88201241

 

招生信息

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研究生招生:

专业:微电子学和固体电子学

方向:

(1)宽禁带半导体材料与器件(SiC,Ga2O3....

(2)薄膜材料与器件

(3)新型光电材料与器件

人数:博士研究生1-2名/年,硕士研究生3-4名/年

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让我们共同努力,共创辉煌!

新增栏目6

贾仁需,男。博士(2009),教授(2016),博士生导师(2015),陕西省青年科技新星(2016)

学习经历:

2004.9-2009.3

西安电子科技大学微电子学学院微电子学与固体电子学硕士、博士学位。研究领域为宽禁带半导体SiC外延材料及器件;导师张义门教授。

2000.9-2004.7

西安电子科技大学技术物理学院本科,专业:电子科学与技术

工作经历:

2009年4月— 至今
西安电子科技大学微电子学院张玉明课题组从事教学和科研工作。2009年晋升为讲师,2011年晋升为副教授,2016年晋升为教授。
2015年3月—2016年2月
瑞典林雪平大学IFM学院 访问学者,合作导师Prof. Wei-xin Ni

简介:
主要从事宽禁带半导体(SiC和Ga2O3)材料和器件方面研究工作。主持研究多项研究课题:02国家科技重大专项1项;国家自然科学基金重点项目1项,面上项目2项,青年基金1项;国家智能电网项目2项;预研项目1项;国家重点实验室开放课题1项;西安市科技局项目1项。参与研究国家重大专项“SiC半导体材料成套设备研发”,“半绝缘SiC半径衬底材料”,教育部支撑计划项目“SiC功率XXX”等多项科研项目。科研项目可支配经费累计3000余万元。近五年发表SCI学术论文30余篇,申请发明专利50余项,授权10余项。

最新成果

 

入选陕西省高校首批“青年杰出人才支持计划”(2017.11.09)

【1】Interfacial characteristics and leakage current transfer mechanisms in organometal trihalide perovskite gate-controlled devices via doping of PCBM; Y Wang, Y Zhang, Y Liu, T Pang, Z Hu, Y Zhu, S Luan, R Jia; Journal of Physics D: Applied Physics 50 (47), 475101

【2】Energy-band alignment of (HfO 2) x (Al 2 O 3) 1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga 2 O 3 (-201); L Yuan, H Zhang, R Jia, L Guo, Y Zhang, Y Zhang; Applied Surface Science

【3】Leakage Current conduction mechanisms and Electrical properties of atomic-layer-deposited HfO2/Ga2O3 MOS capacitors;, , , ,  and Journal of Physics D: Applied Physics

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