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基本信息

 

联系方式

办公地点:西安电子科技大学北校区东大楼219A房间

个人简介

2007年 毕业于 西安交通大学 电子科学与技术专业

2012年 毕业于 北京大学 微电子学与固体电子学系

2012年至今在 西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院 宽带隙化合物半导体国家重点学科实验室

目前职位为副教授,硕士生导师

 

主要研究方向

        主要研究方向为GaN基电子器件及其可靠性,目前主要研究点为GaN高频及超高频器件的工艺方法、器件性能,基于GaN、MoS2等新型半导体材料和器件的生物探测器研究,以及基于电子束光刻的纳米工艺加工技术。同时负责了西电宽带隙化合物半导体国家重点实验室的光刻工艺工作,目前已发开出了达到50nm的T型栅GaN HEMT器件。  已发表SCI论文20余篇,其中以第一作者已发表SCI文章10余篇;以第一发明人申请专利10项,其中已获得专利授权4项。

       目前主要主持并参与的国家级项目有:1)主持国家自然科学青年基金项目“基于AlGaN/GaNHEMT器件的剪切力下细胞膜电位测量方法与应用技术研究” ; 2) 校内主持国家自然科学基金重点项目“新一代宽带无线移动通信网/TM模介质滤波器、功放等器件研发与集成验证 ”;3) 校内主持国家科技重大专项项目子课题“Si基GaN增强型电力电子器件研究/可靠性机理研究”;4) 作为研究骨干,参与863项目“新一代移动通信基站氮化镓射频功率放大器”,课题经费1908万元,个人排名第3。

 

               栅脚小至50nm的T型栅                     20um周长的西电校徽,最小处宽度达到200nm

 

 

 

 

 

 

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