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基本信息

 

祝杰杰 博士, 讲师

先进材料与纳米科技学院             

研究方向

1. 宽禁带氮化物半导体器件:关键工艺、可靠性与失效分析、微系统

2. 原子层沉积技术:介电薄膜沉积与表征、半导体表面与界面研究

3. 功能薄膜与半导体器件集成

联系方式

通信地址:陕西省西安市太白南路2号,710071

电子邮箱:jjzhu@mail.xidian.edu.cn

办公地点:北校区东大楼218

教育背景

2011.08-2016.06    西安电子科技大学    材料物理与化学专业                工学博士(硕博连读)

2007.09-2011.07    西安电子科技大学    电子科学与技术专业                工学学士(优秀毕业生)

最新动态

【2017-11-29】论文发表:GaN器件与铁电薄膜集成技术取得重大突破,基于新型界面调控和极化耦合技术实现了大电流、极高沟道输运特性、低关态损耗的GaN增强型器件,成果发表在电子器件权威期刊IEEE Electron Devices Letters (SCI二区)。{Jiejie Zhu, et al.,Ferroelectric gate AlGaN/GaN E-mode HEMTs with high transport and sub-threshold performance, IEEE Electron Devices Letters, 2017, published online.} New!

【2017-11-28】团队获奖:马晓华教授负责的“微纳看世界”团队荣获西安电子科技大学第二届“三好三有”研究生导学团队荣誉称号,其中祝杰杰是团队导师之一。新闻链接:http://info.xidian.edu.cn/info/1010/13168.htm New!

【2017-11-21】科研获奖:祝杰杰的博士学位论文《氮化物MIS-HEMT器件界面工程研究》获陕西省电子学会优秀博士学位论文奖。New!

【2017-10-16】论文发表:GaN基绝缘栅器件界面表征研究取得重要进展,揭示了界面态俘获截面与陷阱激活能之间的指数变化规律,成果发表在应用物理领域权威期刊 Applied Physics Letters (SCI二区){Jiejie Zhu, et al. Exponential dependence of capture cross section on activation energy for interface traps in Al2O3/AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures Appl. Phys. Lett., 111(16): 163502.}New!

【2017-09-26】学术会议:祝杰杰参加APWS2017国际会议,并在会上作口头报告。New!

 

 

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