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基本信息

张进成 教授/博导

博士学科:电子科学与技术(微电子学与固体电子学)

硕士学科:电子科学与技术(微电子学与固体电子学)

工作单位:微电子学院,科学研究院

联系方式

通信地址:西安电子科技大学科学研究院/微电子学院

电子邮箱:jchzhang@xidian.edu.cn

办公电话:

办公地点:北校区东大楼311,南校区办公楼514

个人简介

博士,二级教授,博士生导师,现任西安电子科技大学科学研究院院长,宽禁带半导体国家工程研究中心副主任,宽带半导体技术国家级重点实验室副主任。分别于1998年、2001年、2004年在西安电子科技大学获得微电子学科学术、硕士和博士学位,2014年在鲁汶大学(欧洲微电子研究中心IMEC)作高级访问学者。兼任新型半导体功率器件国家重点实验室学术委员会委员、微光夜视技术国家级重点实验室学术委员会委员,中国航天科技集团公司元器件应用专业组专家,曾任国务院学位办电子科学与技术学科评议组秘书。

研究领域包括宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件、二维材料与器件。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授开始氮化镓电子材料与器件研究,是国内外最早开展该研究的学者,发表SCI论文300余篇,出版学术专著3部,授权发明专利80余项,近年来成果6次被国际著名行业杂志Semiconductor Today专题报道,在国内外学术会议作特邀报告20余次,多次担任国际学术会议电子器件分会主席。研究成果在北斗导航卫星、新型雷达等国家重大工程中成功应用。研究成果获国家技术发明二等奖2项(分别排名第1、2),省部级科技一等奖4项(分别排名第1、2、4、6)及国家教学成果一等奖1项(排名第2),为我国GaN电子器件发展做出了重要开拓贡献。

先后入选教育部长江学者特聘教授(2016年)、国防卓越青年基金获得者(2017年)、国家万人计划领军人才(2018年)、陕西省重点科技创新团队负责人(2017年)、陕西省三秦学者特聘教授(2016年)、教育部新世纪优秀人才(2007年)等人才计划。

 

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主要研究方向

宽禁带半导体材料与器件

超宽禁带半导体材料与器件

半导体微波与功率器件电路设计

新型二维材料与器件