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基本信息

姓名    王冲   职位  教授

硕导或博导: 博士生导师

博士学科:    微电子学与固体电子学

硕士学科:   微电子学与固体电子学

工作单位:      西安电子科技大学

联系方式

通信地址: 陕西省西安市太白南路2号395信箱

电子邮箱: chongw@xidian.edu.cn

办公电话: 029-88202073-866

办公地点: 西电老校区,东大楼209B

个人简介

王冲:教授,博士生导师。

研究方向:宽禁带半导体材料工艺与新型器件结构

个人简介:王冲,2006年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位。2007年至今任教于西安电子科技大学微电子学院。自2002年以来长期从事GaN基器件工艺、器件新结构设计和器件可靠性的研究。2003年参与研制国内首个SiC衬底的GaN基高电子迁移率晶体管,2007年国内首个报道了增强型GaN基高电子迁移率晶体管。2011年参与研制出了当时全世界效率最高的GaN微波功率器件。长期从事重点实验室的工艺、设备管理工作。在该研究领域以第一作者或通讯作者发表论文30余篇,获得授权专利5项,专利转让金额70余万元。参加国家纵向科研项目10余项,近5年可支配经费600余万元。研究成果获得国家发明二等奖1项,省科学技术一等奖3项。承担本科生半导体器件物理2和研究生微波器件与电路的授课任务。于2008年赴以色列理工大学做访问学者一年。

主要研究方向

1. 宽禁带半导体器件工艺
2.  宽禁带半导体新结构器件
3.GaN基电子器件可靠性研究
4.GaN数字电路关键技术研究
5.高击穿电压GaN功率器件研究

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