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基本信息

段宝兴 教授

硕士生/博士生导师

博士学科:微电子学与固体电子学

硕士学科:材料物理与化学 

工作单位:微电子学院

联系方式

通信地址:

电子邮箱:bxduan@163.com

办公电话:029-88201604

办公地点:西安电子科技大学北校区东大楼223室

个人简介

 

     陕西大荔人,博士,教授,博士生导师。

     2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位;2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。

     2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究,主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计,期间在台湾国立大学进行学术交流八个月,主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究,从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。

      2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授,2012年7月破格评为教授,2012年12月聘为博士生导师。

 

     国际重要学术期刊《IEEE Electron Device Letters》、《Solid-State Electronics》、《Micro & Nano Letters》、《IEEE Transactions on Power Electronics》、《IETE Technical Review》审稿人。

国内期刊《半导体学报》、《微电子期刊》、《北京理工大学学报》审稿人。

 

主要研究方向

  

主要从事:

(1) 硅基功率器件与集成;

(2) 宽带隙半导体功率器件;

(3) 45nm后CMOS关键技术研究。

 

    首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计;与合作者提出的SOI 高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题;最近首次在国际上提出了完全3-D RESURF概念并已被国际同行认可。

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